產(chǎn)品中心
Product Center當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心輪廓儀接觸式輪廓儀P170全自動(dòng)晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀
P-170是cassette-to-cassette探針式輪廓儀,將P-17臺(tái)式系統(tǒng)的測(cè)量性能和經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的HRP®-260的機(jī)械傳送臂相結(jié)合。 這樣的組合為機(jī)械傳送臂系統(tǒng)提供了低成本,適用于半導(dǎo)體,化合物半導(dǎo)體和相關(guān)行業(yè)。 P-170全自動(dòng)晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀可以對(duì)臺(tái)階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測(cè)量,其掃描可達(dá)200mm而無(wú)需圖像拼接。
product
產(chǎn)品分類article
相關(guān)文章品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
---|---|---|---|
產(chǎn)品種類 | 接觸式輪廓儀/粗糙度儀 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,航天,電氣,綜合 |
全自動(dòng)晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀P-170該系統(tǒng)結(jié)合了UltraLite®傳感器、恒力控制和超平掃描平臺(tái),因而具備出色的測(cè)量穩(wěn)定性。通過(guò)點(diǎn)擊式平臺(tái)控制、頂視和側(cè)視光學(xué)系統(tǒng)以及帶光學(xué)變焦的高分辨率相機(jī)等功能,程序設(shè)置簡(jiǎn)便快速。P-170具備用于量化表面形貌的各種濾鏡、調(diào)平和分析算法,可以支持2D或3D測(cè)量。并通過(guò)圖案識(shí)別、排序和特征檢測(cè)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)測(cè)量。
一、 全自動(dòng)晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀功能
設(shè)備特點(diǎn)
·臺(tái)階高度:幾納米至1000μm
·微力恒力控制:0.03至50mg
·樣品全直徑掃描,無(wú)需圖像拼接
·視頻:500萬(wàn)像素高分辨率彩色攝像機(jī)
·圓弧校正:消除由于探針的弧形運(yùn)動(dòng)引起的誤差
·軟件:簡(jiǎn)單易用的軟件界面
·生產(chǎn)能力:通過(guò)測(cè)序、圖案識(shí)別和SECS/GEM實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化
·晶圓機(jī)械傳送臂:自動(dòng)加載75mm至200mm不透明(例如硅)和透明(例如藍(lán)寶石)樣品
主要應(yīng)用
·臺(tái)階高度:2D和3D臺(tái)階高度
·紋理:2D和3D粗糙度和波紋度
·形狀:2D和3D翹曲和形狀
·應(yīng)力:2D和3D薄膜應(yīng)力
·缺陷復(fù)檢:2D和3D缺陷表面形貌
工業(yè)應(yīng)用
·半導(dǎo)體
·化合物半導(dǎo)體
·LED:發(fā)光二極管
·MEMS:微機(jī)電系統(tǒng)
·數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
·汽車
二、應(yīng)用案例
·臺(tái)階高度
P-170可以提供納米級(jí)到1000μm的2D和3D臺(tái)階高度的測(cè)量。 這使其能夠量化在蝕刻,濺射,SIMS,沉積,旋涂,CMP和其他工藝期間沉積或去除的材料。P-170具有恒力控制功能,無(wú)論臺(tái)階高度如何都可以動(dòng)態(tài)調(diào)整并施加相同的微力。 這保證了良好的測(cè)量穩(wěn)定性并且能夠精確測(cè)量諸如光刻膠等軟性材料。
·紋理:粗糙度和波紋度
P-170提供2D和3D紋理測(cè)量并量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件濾鏡功能將測(cè)量值分為粗糙度和波紋度部分,并計(jì)算諸如均方根(RMS)粗糙度之類的參數(shù)。
·外形:翹曲和形狀
P-170可以測(cè)量表面的2D形狀或翹曲。這包括對(duì)晶圓翹曲的測(cè)量,例如半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中的多層沉積期間由于層與層的不匹配是導(dǎo)致這種翹曲的原因。P-170還可以量化包括透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。
·應(yīng)力:2D和3D薄膜應(yīng)力
P-170能夠測(cè)量在生產(chǎn)包含多個(gè)工藝層的半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件期間所產(chǎn)生的應(yīng)力。使用應(yīng)力卡盤(pán)將樣品支撐在中性位置并精確測(cè)量樣品翹曲。 然后通過(guò)應(yīng)用Stoney方程,利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來(lái)計(jì)算應(yīng)力。2D應(yīng)力通過(guò)在直徑達(dá)200mm的樣品上通過(guò)單次掃描測(cè)量,無(wú)需圖像拼接。3D應(yīng)力的測(cè)量采用多個(gè)2D掃描,并結(jié)合θ平臺(tái)在掃描之間的旋轉(zhuǎn)對(duì)整個(gè)樣品表面進(jìn)行測(cè)量。
·缺陷復(fù)檢
缺陷復(fù)查用于測(cè)量如劃痕深度之類的缺陷形貌。 缺陷檢測(cè)設(shè)備找出缺陷并將其位置坐標(biāo)寫(xiě)入KLARF文件。 “缺陷復(fù)檢"功能讀取KLARF文件、對(duì)準(zhǔn)樣本,并允許用戶選擇缺陷進(jìn)行2D或3D測(cè)量。