SHNTI的X-射線薄膜窗能夠?qū)崿F(xiàn)軟X-射線（如真空紫外線）的zui大透射率。主要用于同步輻射X射線透射顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟（能量越低），穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特別在“離軸”狀態(tài)工作（即薄膜與光束成一定角度）時，也需要較薄的薄膜窗口，便于X射線更好地穿透。
SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用現(xiàn)代MEMS技術(shù)制備而成，由于此種氮化硅窗口選用低應(yīng)力氮化硅（0-250MP）薄膜，因此比計(jì)量式和ST氮化硅薄膜更堅(jiān)固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常適合應(yīng)用于透射成像和透射能譜等廣泛的科學(xué)研究領(lǐng)域，例如，X-射線（上海光源透射成像/能譜線站）、TEM、SEM、IR、UV等。
現(xiàn)在SHNTI可以提供X-射線顯微成像/能譜（同步輻射）用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品，規(guī)格如下：
外框尺寸 （4種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格）:

5 mm x 5 mm （窗口尺寸：1.0 mm 或和 1.5 mm 方形）

7.5 mm x 7.5 mm （窗口尺寸：2.0 mm 或 2.5 mm）

10 mm x 10 mm （窗口尺寸：3.0 mm 或 5 mm 方形）

邊框厚度： 200μm、381μm、525μm。 
Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm
SHNTI也可以為用戶定制產(chǎn)品（30-500nm），但要100片起訂。

本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品，SHNTI不建議用戶重復(fù)使用，本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗，適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。

氮化硅薄膜窗口系列
SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm 
SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm 
SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm
SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm
SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm
SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口陣列系列
SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2陣列，膜厚：50nm
SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列；膜厚：50nm  
SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 
氧化硅薄膜窗口系列
SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm 
SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：50nm 
SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：100nm
SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口系列
SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm 
SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm 
SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
特殊定制產(chǎn)品
SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm 
SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm 
SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整張，10×10mm切片 

襯底厚度：200um 溫度范圍：1000℃ 真空適應(yīng)：1個大氣壓
厚度可以選擇：200um，381um，525um，需要提前說明。

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